FTSE MIB: scheda di investimento 2 gennaio 2023

FTSE MIB: scheda di investimento 23 dicembre 2022

FTSE MIB: scheda di investimento 16 dicembre 2022

FTSE MIB: scheda di investimento 9 dicembre 2022

STMicroelectronics raddoppia l'utile nei primi 9 mesi 2022

STMicroelectronics ha diffuso la relazione finanziaria dei primi 9 mesi del 2022.

Bilancio consolidato primi 9 mesi
mln di dollari
2022 vs 2021

Ricavi caratteristici
11.675 vs 9.187, +27,1%

Utile netto di gruppo
2.713 vs 1.251, +116,9%

Patrimonio netto di gruppo
10.917 vs 9.209 al 31 dicembre 2021, +1.708

Posizione finanziaria netta
+1.457 vs +977 al 31 dicembre 2021, +480

Patrimonio per azione
12,330 dollari

12,243 euro

Utile per azione (9 mesi)
2,865 dollari

2,845 euro

Comunicato stampa integrale (12 pagine).

Riclassificazione di bilancio e calcoli: "Redazione Azioni News"

 ✶ ✶ ✶ STMICROELECTRONICS 
Prezzo 33,0 € 
PE 12m 8,7 
Dividendo 0,83% 
PB 2,49 
Rendimento fondamentale 12,96% 
Target corretto 37,7 € 

STMicroelectronics punta all'integrazione verticale con nuovo stabilimento a Catania da 730 mln di euro

STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, costruirà un impianto integrato per la produzione di substrati in carburo di silicio (SiC) in Italia. 

Si prevede che la produzione inizi nel 2023 e bilanci l’approvvigionamento di substrati in SiC tra materiali prodotti internamente e acquistati da fornitori esterni.

L’impianto di produzione di substrati in SiC, costruito nel sito ST di Catania accanto allo stabilimento esistente che produce dispositivi in SiC, sarà il primo nel suo genere in Europa per la produzione in volumi di substrati epitassiali in SiC da 150 mm, e integrerà tutti i passaggi del flusso produttivo. 

ST è impegnata a sviluppare substrati da 200 mm nel prossimo futuro.

Questo progetto rappresenta un passaggio chiave per la progressiva attuazione della strategia di integrazione verticale di ST nelle attività in SiC. 

L’investimento di 730 mln di euro in un arco di cinque anni avrà il supporto finanziario dello Stato italiano nell’ambito del Piano Nazionale di Ripresa e Resilienza e, una volta completato, creerà circa 700 nuovi posti di lavoro diretti.

Ha dichiarato Jean-Marc Chery, President & Chief Executive Officer di STMicroelectronics:

“ST sta trasformando le sue attività produttive globali, con una capacità addizionale nella produzione a 300 mm e una forte focalizzazione sui semiconduttori a larga banda interdetta, a sostegno della sua ambizione di raggiungere i 20 e oltre miliardi di dollari di ricavi. 

Stiamo ampliando le nostre attività operative a Catania, il centro delle nostre competenze nei semiconduttori di potenza e dove abbiamo già integrato attività di ricerca, sviluppo e produzione per il SiC in stretta collaborazione con istituti di ricerca italiani, università e fornitori, 

Questo nuovo impianto sarà fondamentale per la nostra integrazione verticale nel SiC, ampliando la nostra fornitura di substrati in SiC in una fase in cui aumenteremo ulteriormente i volumi per sostenere la transizione da parte dei nostri clienti dei settori automotive e industriale verso l’elettrificazione e maggiore efficienza”. 

La leadership di ST nel SiC è il risultato di 25 anni di specializzazione e impegno in attività di R&S, testimoniati da un ampio portafoglio brevettuale in processi chiave. 

Catania è da tempo per ST un sito importante per l’innovazione in quanto ospita il più grande centro di R&S e produzione per il SiC, e contribuisce con successo allo sviluppo di nuove soluzioni per produrre dispositivi in SiC in quantità maggiori e qualità migliore. 

Questo investimento rafforzerà il ruolo di Catania come centro di competenza globale nella tecnologia del carburo di silicio.

I prodotti avanzati STPOWER in SiC di ST sono attualmente prodotti in volumi elevati negli stabilimenti di Catania e Ang Mo Kio (Singapore). 

Le attività di assemblaggio e collaudo si svolgono nei siti di back-end di Shenzhen (Cina) e Bouskoura (Marocco). 

L’investimento in questo impianto rappresenta per ST un passo significativo verso l’approvvigionamento interno del 40% delle fette in SiC entro il 2024. 

 ✶ ✶ ✶ STMICROELECTRONICS 
Prezzo 34,6 € 
PE 12m 9,4 
Dividendo 0,76% 
PB 2,77 
Rendimento fondamentale 12,43% 
Target corretto 34,8 € 

STMicroelectronics annuncia i risultati finanziari del secondo trimestre 2022

STMicroelectronics ha diffuso la relazione finanziaria semestrale 2022.

Bilancio consolidato 1° semestre
Principi contabili internazionali
mln di euro
2022 vs 2021

Ricavi
7.370 vs 5.995, +22,9%

Utile netto di gruppo
1.614 vs 776, +108,0%

Patrimonio netto di gruppo
10.157 vs 9.209 al 31 dicembre 2021, +948

Posizione finanziaria netta
+924 vs +977, -53

Patrimonio per azione
11,237 euro

Utile per azione semestrale
1,786 euro

Riclassificazione di bilancio e calcoli: "Redazione Azioni News"

 ✶ ✶ ✶ STMICROELECTRONICS 
Prezzo 35,7 € 
PE 12m 11,1 
Dividendo 0,73% 
PB 3,22 
Rendimento fondamentale 11,29% 
Target corretto 41,0 € 

STMicroelectronics e GlobalFoundries, nuovo impianto manifatturiero

STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, e GlobalFoundries Inc., leader globale nella produzione di semiconduttori ricchi di funzionalità, hanno annunciato oggi di avere firmato un memorandum d’intesa per la creazione di un nuovo impianto manifatturiero a gestione congiunta per la produzione di semiconduttori su wafer di silicio da 300 mm adiacente all’impianto da 300 mm di ST esistente a Crolles, in Francia.

Questo impianto dovrebbe arrivare a pieno regime entro il 2026, con una produzione equivalente a fino 620.000 wafer da 300 mm l’anno a costruzione ultimata (~42% ST e ~58% GF).

ST e GF si impegnano ad aumentare la capacità produttiva a vantaggio della propria base di clienti europei e globali. 

Questo nuovo impianto supporterà varie tecnologie, in particolare le tecnologie basate sulla tecnologia FD-SOI, e coprirà diverse varianti. 

Tra queste, la tecnologia leader di mercato FDX di GF e la vasta roadmap tecnologica di ST fino a dimensioni minime da 18 nm.

Per entrambi la domanda dovrebbe rimanere sostenuta, soprattutto per le applicazioni automotive, IoT e mobile nei prossimi decenni.

La tecnologia FD-SOI è stata sviluppata in origine nell’area di Grenoble (Francia). 

Sin dagli inizi ha fatto parte della roadmap di prodotti e tecnologie di ST nell’impianto di Crolles, per essere poi arricchita da ulteriori soluzioni differenzianti e commercializzata per la produzione presso lo stabilimento GF di Dresda. 

La tecnologia FD-SOI offre considerevoli vantaggi a progettisti e clienti, tra cui un consumo energetico estremamente basso e un’integrazione più facile di funzionalità aggiuntive come quelle di connettività RF, mmWave e sicurezza.

Per il nuovo stabilimento, ST e GF riceveranno sostegno finanziario significativo dallo Stato francese.

L’impianto apporterà un importante contributo agli obiettivi del Chips Act Europeo, compreso l’obbiettivo dell’Europa di raggiungere il 20% della produzione mondiale di semiconduttori entro il 2030. 

Oltre al consistente investimento pluriennale nella produzione avanzata di semiconduttori in Europa, sosterrà la leadership e la resilienza degli ecosistemi tecnologici europei, dall’R&S (con la collaborazione recentemente annunciata per le attività di R&S tra ST, GF, CEA-Leti e Soitec) alla produzione in grandi volumi.

Sosterrà inoltre i clienti europei e globali con una capacità produttiva addizionale in tecnologie avanzate complesse destinate a mercati finali fondamentali fra cui l’automotive, il settore industriale, l’IoT e l’infrastruttura di comunicazione. 

Il nuovo impianto genererà maggiore occupazione presso il sito ST di Crolles (circa 1.000 assunzioni in più per il nuovo stabilimento di produzione) e nel suo ecosistema di partner, fornitori e stakeholder.

Lavorando insieme ST e GF faranno leva sulle economie di scala presso il sito di Crolles mentre aumenteranno la capacità produttiva di semiconduttori di cui il mondo ha bisogno, con un'elevata efficienza degli investimenti. 

“Questo nuovo impianto di produzione sosterrà la nostra ambizione di realizzare ricavi per 20 e oltre miliardi di dollari. 

La collaborazione con GF ci permetterà di procedere più speditamente, abbassare le soglie di rischio e rafforzare l’ecosistema FD-SOI europeo. 

Avremo una maggiore capacità per supportare i nostri clienti europei e globali nella transizione verso la digitalizzazione e la decarbonizzazione” ha dichiarato Jean-Marc Chery, President & CEO di STMicroelectronics. 

“ST sta trasformando la sua base manifatturiera. 

Abbiamo già una posizione unica con il nostro impianto di wafer di silicio da 300 mm di Crolles, in Francia, che con l’annuncio di oggi sarà ulteriormente rafforzata. 

Continuiamo a investire nel nostro nuovo impianto di fette di silicio da 300 mm di Agrate (vicino Milano), in ramp-up nella prima metà del 2023 e con la piena saturazione attesa entro la fine del 2025, così come nella nostra produzione basata su carburo di silicio e su nitruro di gallio e integrata verticalmente.” 

“I nostri clienti sono interessati ad un ampio accesso alla capacità produttiva 22FDX per applicazioni automobilistiche e industriali. 

Il nuovo impianto includerà capacità di produzione da foundry di GF dedicata per i nostri clienti, che offrirà l’innovazione unica di GF e sarà gestita in loco da personale GF. 

Questa nuova espansione della capacità manifatturiera a gestione congiunta fa leva sull’infrastruttura esistente di ST a Crolles, permettendo a GF di accelerare la nostra crescita e di usufruire di economie di scala per ottenere capacità aggiuntiva con un’elevata efficienza di capitale sulla nostra piattaforma differenziata 22FDX , le cui spedizioni hanno superato il miliardo di chip. 

Con l’annuncio di oggi, stiamo espandendo la presenza di GF nel dinamico ecosistema tecnologico dell’Europa e rafforzando la nostra posizione in quanto foundry di semiconduttori leader in Europa,” ha dichiarato il dottor Thomas Caulfield, CEO di GF. 

“La nostra impronta globale permette a GF non solo di soddisfare le esigenze di capacità dei nostri clienti, ma anche di fornire loro una catena di fornitura sicura. 

L’investimento in partenariato con il Governo francese, unito ai nostri contratti a lungo termine con i clienti, crea il modello economico corretto per l’investimento di GF.” 

Il progetto è soggetto alla stipula di accordi definitivi e alle approvazioni di vari enti regolatori, compresa la DG Concorrenza della Commissione Europea, nonché alla conclusione delle consultazioni con il Consiglio del Lavoro Francese di ST. 

 ✶ ✶ ✶ STMICROELECTRONICS 
Prezzo 30,8 € 
PE 12m 9,4 
Dividendo 0,84% 
PB 2,70 
Rendimento fondamentale 12,00% 
Target corretto 36,7 €